Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.42
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 15V 6.4V min., SMD X2SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.4V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX2SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.3.896
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 349 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.349 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.38
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.82
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.494
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.68
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Array komplex, 6-Pin, SMD SOT-553
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-553
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD SC-70
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-70
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.45
    Stück (Auf einer Rolle von 50)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeDDPAK/ TO-263
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.347
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 15V 6.4V min., SMD X2SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.4V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX2SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.40
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.410
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 25)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 4-Pin, SMD SOP
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.11
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 200 A DDPAK/ TO-263
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeDDPAK/ TO-263
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.4.31
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Array komplex, 6-Pin, SMD SOT-553
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-553
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.5.90
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 A, 3-Pin D²PAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeD²PAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.18
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 6-Pin, SMD SOT-23
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.8.684Stück
Texas Instruments Brückengleichrichter, 1-phasig 1A 50V THT 1.3V PDIP Dual 8-Pin 100μA Schottky
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
  • CHF.0.305
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 76 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.76 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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