Fairchild Semiconductor

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.872
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UltraFET FDS3692 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.10.448
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild IGBT / 75 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.0.40
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 30.6V 20.9V min., 2-Pin, THT 18.8V max DO-15
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.30.6V
  • Durchschlagspannung min.20.9V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.628
    Stück (Auf einer Rolle von 800)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.0.725
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
LVDS Transmitter FIN1027MX, Dual-TX LVTTL LVDS 600Mbit/s, SOIC 8-Pin
  • Anzahl der Treiber2
  • Eingangs-TypLVTTL
  • Ausgangs-TypLVDS
  • Datenrate600Mbit/s
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "LVDS-Schnittstellen-ICs"
  • CHF.0.326
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Fairchild Semiconductor Dual Bustransceiver Transceiver VCX 8-Bit Non-Inverting, SMD 20-Pin TSSOP
  • LogikfamilieVCX
  • LogikfunktionTransceiver
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Anzahl der Kanäle pro Chip8
  • PolaritätNon-Inverting
Vergleichbare Produkte in "Bus Transceiver"
  • CHF.2.615
    Stück (In einer Stange von 50)
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.42
    Stück (In einer Stange von 50)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.1.187
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • SerieUniFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.01
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDMC8884 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SeriePowerTrench
  • GehäusegrößeMLP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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