Fairchild Semiconductor

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.011
    Stück (In einer Box à 2000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Fairchild Semiconductor Gleichrichterdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Durchlassstrom max.400mA
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.0.011
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 20)
Fairchild Semiconductor Schaltdiode Einfach 400mA 1 Element/Chip THT 100V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
  • Durchlassstrom max.400mA
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypTHT
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Sperrspannung max.100V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • CHF.2.48
    Stück (In einer VPE à 2)
Fairchild Semiconductor UltraFET HUF75639G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 56 A 200 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.8.25
    Stück (In einer Stange von 30)
Fairchild IGBT / 70 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.0.683
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor QFET FQD10N20CTM N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 7,8 A 50 W, 3-Pin DPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeDPAK
  • SerieQFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.42
    Stück (In einer Stange von 50)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.1.628
    Stück (Auf einer Rolle von 800)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.1.01
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor PowerTrench FDMC8884 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 24 A 18 W, 8-Pin MLP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.24 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeMLP
  • SeriePowerTrench
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.2.846
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.21 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung450 V
  • Gate-Source Spannung max.±14V
  • Verlustleistung max.150 W
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.1.83Stück
Fairchild Semiconductor Power Switch IC Integriert 0.95Ω 25 V max. 2 Ausg.
  • Netzschalter-TypIntegriert
  • Einschaltwiderstand0.95Ω
  • Arbeitsspannnung max.25 V
  • Betriebsstrom max.7A
  • Anzahl der Ausgänge2
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • CHF.0.40
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 30.6V 20.9V min., 2-Pin, THT 18.8V max DO-15
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.30.6V
  • Durchschlagspannung min.20.9V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.18.31
    Stück (In einer Stange von 10)
Fairchild Semiconductor Motor Driver IC FSBS15CH60, 15A, 20kHz, PDIP, 27-Pin, AC-Induktionsmotor, 3-phasig, Motion SPM
  • MotortypAC-Induktionsmotor
  • Ausgangskonfiguration3-phasig
  • IGBT Collectorstrom max.15A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • CHF.1.187
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UniFET FDP52N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.200 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieUniFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.872
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor UltraFET FDS3692 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • SerieUltraFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.03
    Stück (In einer VPE à 5)
Mosfet Driver FAN7371MX, 1-Kanal 4A Halbbrücke SOP 8-Pin
  • Pinanzahl8
  • GehäusegrößeSOP
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Anzahl der Treiber1
  • Brücken-TypHalbbrücke
Vergleichbare Produkte in "Gate-Treiber"
  • CHF.0.725
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
LVDS Transmitter FIN1027MX, Dual-TX LVTTL LVDS 600Mbit/s, SOIC 8-Pin
  • Anzahl der Treiber2
  • Eingangs-TypLVTTL
  • Ausgangs-TypLVDS
  • Datenrate600Mbit/s
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "LVDS-Schnittstellen-ICs"
  • CHF.0.36
    Stück (In einer VPE à 5)
Fairchild Semiconductor TVS-Diode Bi-Directional Einfach 14.5V 9.5V min., 2-Pin, THT 8.5V max DO-15
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.14.5V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
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