Texas Instruments

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Beschreibung
Produkt-Details
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.90Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.788
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.389
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 15V 6.4V min., SMD X2SON
  • CHF.0.347
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 15V 6.4V min., SMD X2SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.4V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX2SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, THT PDIP
  • CHF.1.47
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, THT PDIP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.90
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • CHF.3.34
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.273 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin
  • CHF.0.19
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, TSSOP 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl16
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • CHF.0.494
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeWSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 5V min., SMD X1SON
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 8.9V 5V min., SMD X1SON
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8.9V
  • Durchschlagspannung min.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Array 6V min., 12-Pin, SMD SON
  • CHF.0.326
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Array 6V min., 12-Pin, SMD SON
  • DiodenkonfigurationArray
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSON
  • Pinanzahl12
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 8.8V 7.5V min., SMD USON
  • CHF.0.25
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 8.8V 7.5V min., SMD USON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.7.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
  • CHF.1.166
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments Brückengleichrichter, 1-phasig 1A 50V THT 1.3V PDIP Dual 8-Pin 100μA Schottky
  • CHF.7.991
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments Brückengleichrichter, 1-phasig 1A 50V THT 1.3V PDIP Dual 8-Pin 100μA Schottky
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch50V
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • CHF.0.86
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • CHF.0.662
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • SerieFemtoFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.431
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • CHF.6.122Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.272 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
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