Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 10-Pin, SMD UQFN
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.662
    Stück (In einer VPE à 20)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieFemtoFET
  • GehäusegrößePICOSTAR
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.42
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments Konstantstromdiode LM334MX/NOPB 0.8V, 1mA SOIC, 8-Pin
  • Stromregler max.1mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Grenzspannung0.8V
  • GehäusegrößeSOIC
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.473
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieFemtoFET
  • GehäusegrößePICOSTAR
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.76
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, THT PDIP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.389
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.04
    Stück (Auf einer Rolle von 10000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 10.9V 9.5V min., SMD SOT-5X3
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.10.9V
  • Durchschlagspannung min.9.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-5X3
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.263
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Pinanzahl16
  • Anzahl der Elemente pro Chip7
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.67
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.53
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.46
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.21
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V, TSSOP 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl16
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.1.47
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 8-Pin, THT PDIP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
  • Pinanzahl8
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.4.31
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.97
    Stück (In einer Stange von 1800)
Texas Instruments Programmierbare Stromquelle LM234Z-6/NOPB, 10mA TO-92, 3-Pin, 5.2 x 4.19 x 5.2mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Stromregler max.10mA
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.65
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array 8V 7V min., 10-Pin, SMD USON
  • DiodenkonfigurationArray
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.956
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Array 25V 11V min., 6 Pin-Pin, SMD USON
  • DiodenkonfigurationArray
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.25V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.44
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 60 A 3 W, 8-Pin SON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeSON
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.1.47
    Stück (Auf einer Rolle von 1800)
Texas Instruments Programmierbare Stromquelle LM234Z-3/NOPB, 10mA TO-92, 3-Pin, 5.2 x 4.19 x 5.2mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Stromregler max.10mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
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