Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.3V
  • CHF.0.21
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.3V
  • DiodenkonfigurationSerie
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP
  • CHF.0.38
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieTPC
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • CHF.4.505
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC3326-A(TE85L,F) SMD, NPN Transistor 20 V / 300 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • CHF.0.263
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba 2SC3326-A(TE85L,F) SMD, NPN Transistor 20 V / 300 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.300 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung20 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode, 85V / 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode, 85V / 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba 2SA1943-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • CHF.2.08
    Stück (In einer Stange von 100)
Toshiba 2SA1943-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • CHF.1.79
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.168 A
  • Drain-Source-Spannung max.75 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • CHF.0.872
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode, 85V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode, 85V / 100mA, 2-Pin SOD-523
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-523
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • CHF.2.79Stück
Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN
  • CHF.3.21Stück
Toshiba TK TK16J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal JFET 2SK209-Y(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • CHF.0.389
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal JFET 2SK209-Y(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom1.2 to 3.0mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.13
    Stück (In einer VPE à 100)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3K339R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3K335R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • CHF.0.17
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SSM3K335R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
  • CHF.0.04
    Stück (Auf einer Rolle von 8000)
Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.250 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-723
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • CHF.1.943
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • CHF.4.589
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • CHF.0.08
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • CHF.1.859
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
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