STMicroelectronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.23
    Stück (In einer Stange von 50)
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:750, TO-220 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.2.510
    Stück (In einer Stange von 30)
STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieSTripFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.3.077
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieSTripFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.242
    Stück (In einer VPE à 10)
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:750, TO-220 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.305
    Stück (In einer Stange von 50)
STMicroelectronics BD139 THT, NPN Transistor 80 V / 3 A, SOT-32 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.3 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • GehäusegrößeSOT-32
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.0.389Stück
STMicroelectronics BD139 THT, NPN Transistor 80 V / 3 A, SOT-32 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.3 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • GehäusegrößeSOT-32
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • CHF.3.266
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A 2,8 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieMDmesh M5
  • GehäusegrößePowerFLAT 8 x 8 HV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.5.86
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 22 A 2,8 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößePowerFLAT 8 x 8 HV
  • SerieMDmesh M5
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.6.815
    Stück (In in einem Beutel mit 25)
STMicroelectronics TRIAC 40A RD-91 Tafelmontage Gate Trigger 1.3V 100mA, 600V, 600V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeRD-91
  • Gate-Triggerstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • CHF.0.08
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
STMicroelectronics THT Schottky Diode, 30V / 200mA, 2-Pin DO-35
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-35
  • Dauer-Durchlassstrom max.200mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.7.865Stück
STMicroelectronics TRIAC 40A RD-91 Tafelmontage Gate Trigger 1.3V 100mA, 600V, 600V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich40A
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeRD-91
  • Gate-Triggerstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • CHF.0.06
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 10V / 3A, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch10V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.263
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
STMicroelectronics EMV-Filter und ESD-Schutzvorrichtung, 11-Pin, SMD Flip-Chip
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeFlip-Chip
  • Pinanzahl11
  • Betriebstemperatur min.–40 °C
  • Betriebstemperatur max.+85 °C
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.04
    Stück (In einer VPE à 100)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 100V / 150mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.150mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch100V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.25
    Stück (In einer VPE à 5)
STMicroelectronics THT Schottky Diode, 30V / 200mA, 2-Pin DO-35
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeDO-35
  • Dauer-Durchlassstrom max.200mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.095
    Stück (In einer VPE à 100)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 10V / 3A, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.3A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch10V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.032
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 100V / 150mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.150mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch100V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • CHF.0.42
    Stück (In einer VPE à 25)
STMicroelectronics EMV-Filter und ESD-Schutzvorrichtung, SMD
  • Montage-TypSMD
  • Betriebstemperatur min.–40 °C
  • Abmessungen1.44 x 1.94 x 0.65mm
  • Betriebstemperatur max.+85 °C
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.13
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 146V 77.8V min., 2-Pin, SMD 70V max DO-214AC (SMA)
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.146V
  • Durchschlagspannung min.77.8V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.97
    Stück (In einer Stange von 20)
STMicroelectronics NPN Motor Driver IC 50 V 500 mA HFE:1000, PDIP 18-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
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