Texas Instruments Diskrete Halbleiter| RS

Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

Kategorie

Anzeige 1 - 20 von 201 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.1.24
    Stück (In einer Stange von 40)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 18-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.284
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.34
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.55Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor-Array 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 20V min., 6-Pin, SMD SON
  • CHF.0.21
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 20V min., 6-Pin, SMD SON
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Durchschlagspannung min.20V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • CHF.0.42
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP
  • CHF.0.515
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.14 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • CHF.0.305
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.494
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • CHF.0.53
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A WSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeWSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP
  • CHF.0.746
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.14 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments ESD-Schutzarray Bi-Directional Quad 8.8V 5.5V min., 10-Pin, SMD 3.6V max USON
  • CHF.0.200
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Bi-Directional Quad 8.8V 5.5V min., 10-Pin, SMD 3.6V max USON
  • DiodenkonfigurationQuad
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.5.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • CHF.0.74
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • CHF.1.76
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • CHF.0.179
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Bi-Directional Array komplex 8V 7V min., 3-Pin, SMD 5.5V max SOT-9X3
  • Direction TypBi-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.8V
  • Durchschlagspannung min.7V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • CHF.0.50
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • Basis-Emitter Spannung max.50 V
  • GehäusegrößePDIP
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD SC-70
  • CHF.0.095
    Stück (In einer VPE à 25)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Uni-Directional 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD SC-70
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-70
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments TVS-Diode-Array Array komplex, 6-Pin, SMD SOT-553
  • CHF.0.11
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments TVS-Diode-Array Array komplex, 6-Pin, SMD SOT-553
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-553
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • CHF.2.69
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter
044 283 61 90
Services
Über RS
Unsere Highlights
Rufen Sie uns an
044 283 61 90
© RS Components GmbH,
Frankfurt am Main, Zweigniederlassung Nänikon/Uster, Grabenstrasse 6, CH-8606 Nänikon - Bankverbindung: Commerzbank Zürich, Kontonummer: 313120166401, BLZ: 8836, SWIFT/BIC: COBACHZHXXX, IBAN: CH63 0883 6120 1664 0100 6
Payment options