Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.38
    Stück (In einer Box à 1800)
Texas Instruments Konstantstromdiode LM334Z/NOPB, 10mA TO-92, 3-Pin, 5.2 x 4.19 x 5.2mm
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Stromregler max.10mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.1.51
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.157 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.767
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments P-Kanal, SMD MOSFET -12 V / 2,9 A PICOSTAR
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.-12 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.074
    Stück (In einer VPE à 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.494
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Uni-Directional Einfach 14V 6V min., 2-Pin, SMD 5.5V max X2SON
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Klemmenspannung max.14V
  • Durchschlagspannung min.6V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.7.58
    Stück (In einer Stange von 75)
Texas Instruments Konstantstromdiode REF200AU 40V, 100μA SOIC, 8-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Stromregler max.100µA
  • Anzahl der Elemente pro Chip3
  • Betriebsspitzenspannung max.40V
  • Dynamische Impedanz min.500MΩ
Vergleichbare Produkte in "Konstantstrom Dioden"
  • CHF.0.221
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.1.607
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode 7V 6.5V min., 8-Pin, SMD TSSOP
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Klemmenspannung max.7V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeTSSOP
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.347
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 15V 6.4V min., SMD X2SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.4V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX2SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.50
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.75 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeVSONP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.3.182
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.5.90
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 A, 3-Pin D²PAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeD²PAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.830
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.410
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 25)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 4-Pin, SMD SOP
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.40
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Pinanzahl16
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • CHF.0.57
    Stück (In einer VPE à 25)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 8.8V 7.5V min., SMD USON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.7.5V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.71
    Stück (In einer VPE à 10)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Bi-Directional 19V 6.7V min., SMD X1SON
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.19V
  • Durchschlagspannung min.6.7V
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeX1SON
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • CHF.0.34
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.1,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.725
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.53
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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